Samsung sta producendo in serie la DRAM DDR5 più piccola del settore, ha annunciato la società martedì.
La nuova DRAM EUV DDR5 a 14 nm è di soli 14 nanometri e sfoggia cinque strati di tecnologia a raggi ultravioletti estremi (EUV). Può raggiungere velocità fino a 7,2 gigabit al secondo, che è più del doppio della velocità di DDR4. Samsung afferma inoltre che la sua nuova tecnologia EUV offre alla DRAM DDR5 la più alta densità di bit, aumentando la produttività del 20% e riducendo il consumo energetico del 20%.
EUV sta diventando sempre più importante poiché le dimensioni della DRAM continuano a ridursi. Aiuta a migliorare la precisione della modellazione, necessaria per prestazioni più elevate e maggiori rese, ha affermato Samsung. L'estrema miniaturizzazione della DRAM DDR5 a 14 nm non era possibile prima dell'utilizzo del metodo di produzione convenzionale del fluoruro di argon (ArF) e l'azienda spera che la sua nuova tecnologia aiuterà a soddisfare la necessità di maggiori prestazioni e capacità in campi come 5G e intelligenza artificiale.
In futuro, Samsung ha dichiarato di voler creare un chip DRAM da 24 Gb e 14 nm per soddisfare le esigenze dei sistemi IT globali. Prevede inoltre di espandere il proprio portafoglio DDR5 a 14 nm per supportare data center, supercomputer e applicazioni server aziendali.
